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Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: Der "Hot-Electron"-Effekt
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 81 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1988
Signatur: XVW2188-81

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: Der "Hot-Electron"-Effekt
Ist Teil von
Auflage
Als Ms. gedr
Ort / Verlag
Düsseldorf : VDI-Verl.
Erscheinungsjahr
1988
Sprache
–
Identifikatoren
ISBN: 3181481092
OCLC-Nummer: 246891067, 246891067
Titel-ID: 990004793210106463
Format
115 S. : graph. Darst.
Systemstelle
XVW
Schlagworte
n-Kanal-FET, Alterung, Heißes Elektron

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