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BibTeX
Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: Der "Hot-Electron"-Effekt
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 81
(
Alle Bände
)
Giebel, Thomas
Als Ms. gedr, 1988
Signatur:
XVW2188-81
Details
Autor(en) / Beteiligte
Giebel, Thomas
Titel
Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: Der "Hot-Electron"-Effekt
Ist Teil von
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 81
(
Alle Bände
)
Auflage
Als Ms. gedr
Ort / Verlag
Düsseldorf : VDI-Verl.
Erscheinungsjahr
1988
Sprache
–
Identifikatoren
ISBN: 3181481092
OCLC-Nummer: 246891067, 246891067
Titel-ID: 990004793210106463
Format
115 S. : graph. Darst.
Systemstelle
XVW
Schlagworte
n-Kanal-FET
,
Alterung
,
Heißes Elektron
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