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Wachstum und Keimbildung bei der Molekularstrahlepitaxie von Silizium auf der (111)-Fläche
1988
Signatur: D1151

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Wachstum und Keimbildung bei der Molekularstrahlepitaxie von Silizium auf der (111)-Fläche
Erscheinungsjahr
1988
Beschreibungen/Notizen
  • Zsfassung in dt. Sprache
  • Hannover, Univ., Diss., 1988
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 636939815, 636939815
Titel-ID: 990005089040106463
Format
85 S. : graph. Darst.
Systemstelle
UIY
Schlagworte
Silicium, Oberfläche, Molekularstrahlepitaxie, LEED

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