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GaInP/GaAs-Heterogrenzflächen und ihre Anwendungen in Solarzellen
1995
Signatur: D10552

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
GaInP/GaAs-Heterogrenzflächen und ihre Anwendungen in Solarzellen
Erscheinungsjahr
1995
Beschreibungen/Notizen
  • Stuttgart, Univ., Diss., 1995
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 174268739, 174268739
Titel-ID: 990007012290106463
Format
112 S. : graph. Darst.
Systemstelle
XZM
Schlagworte
Galliumphosphid, Indiumphosphid, Inversionsschicht, Galliumarsenid, Solarzelle, Wirkungsgrad

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