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Ein Modell zur ereignisgetriebenen Simulation von MOS-Transistornetzwerken auf der Schalterebene
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 10 : 120 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1989
Signatur: P410, YGQ2898

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Ein Modell zur ereignisgetriebenen Simulation von MOS-Transistornetzwerken auf der Schalterebene
Ist Teil von
Auflage
Als Ms. gedr
Ort / Verlag
Düsseldorf : VDI-Verl.
Erscheinungsjahr
1989
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Beschreibungen/Notizen
  • Literaturangaben
  • Paderborn, Univ.-Gesamthochschule, Diss.
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
ISBN: 3170102427
OCLC-Nummer: 1071199475, 1071199475
Titel-ID: 990005190560106463
Format
104 S. : graph. Darst.
Systemstelle
YCF, YCI, YGQ
Schlagworte
MOS-Schaltung, Schaltungsentwurf, Simulation

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